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    步驟1 確定開(kāi)關(guān)電源的基本參數(shù)
① 交流輸入電壓最小值umin
② 交流輸入電壓最大值umax
③ 電網(wǎng)頻率Fl  開(kāi)關(guān)頻率f
④ 輸出電壓VO（V）：已知
⑤ 輸出功率PO（W）：已知
⑥ 電源效率η：一般取80％
⑦ 損耗分配系數(shù)Z：Z表示次級(jí)損耗與總損耗的比值，Z=0表示全部損耗發(fā)生在初級(jí)，Z=1表示發(fā)生在次級(jí)。一般取Z=0.5
步驟2 根據(jù)輸出要求，選擇反饋電路的類(lèi)型以及反饋電壓VFB
步驟3 根據(jù)u，PO值確定輸入濾波電容CIN、直流輸入電壓最小值VImin
① 令整流橋的響應(yīng)時(shí)間tc=3ms
② 根據(jù)u，查處CIN值
③ 得到Vimin
確定CIN,VImin值
u(V) PO(W) 比例系數(shù)(μF/W) CIN(μF) VImin(V)
固定輸入:100/115 已知 2~3 (2~3)×PO ≥90
通用輸入:85~265 已知 2~3 (2~3)×PO ≥90
固定輸入:230±35 已知 1 PO ≥240








步驟4 根據(jù)u，確定VOR、VB
① 根據(jù)u由表查出VOR、VB值
② 由VB值來(lái)選擇TVS
u(V) 初級(jí)感應(yīng)電壓VOR(V) 鉗位二極管              反向擊穿電壓VB(V)

固定輸入:100/115 60 90
通用輸入:85~265 135 200
固定輸入:230±35 135 200







步驟5 根據(jù)Vimin和VOR來(lái)確定最大占空比Dmax

                
① 設(shè)定MOSFET的導(dǎo)通電壓VDS(ON)
② 應(yīng)在u=umin時(shí)確定Dmax值，Dmax隨u升高而減小
步驟6 確定初級(jí)紋波電流IR與初級(jí)峰值電流IP的比值KRP，KRP=IR/IP
u(V) KRP
最小值(連續(xù)模式) 最大值(不連續(xù)模式)
固定輸入:100/115 0.4 1
通用輸入:85~265 0.4 1
固定輸入:230±35 0.6 1
步驟7 確定初級(jí)波形的參數(shù)
① 輸入電流的平均值IAVG

② 初級(jí)峰值電流IP

③ 初級(jí)脈動(dòng)電流IR
④ 初級(jí)有效值電流IRMS

步驟8 根據(jù)電子數(shù)據(jù)表和所需IP值 選擇TOPSwitch芯片
① 考慮電流熱效應(yīng)會(huì)使25℃下定義的極限電流降低10％，所選芯片的極限電流最小值ILIMIT(min)應(yīng)滿(mǎn)足：0.9 ILIMIT(min)≥IP
步驟9和10 計(jì)算芯片結(jié)溫Tj
① 按下式結(jié)算：
Tj＝[I2RMS×RDS(ON)+1/2×CXT×(VImax+VOR) 2 f ]×Rθ＋25℃
式中CXT是漏極電路結(jié)點(diǎn)的等效電容，即高頻變壓器初級(jí)繞組分布電容
② 如果Tj＞100℃，應(yīng)選功率較大的芯片
步驟11 驗(yàn)算IP  IP=0.9ILIMIT(min)
① 輸入新的KRP且從最小值開(kāi)始迭代，直到KRP=1
② 檢查IP值是否符合要求
③ 迭代KRP=1或IP=0.9ILIMIT(min)
  步驟12 計(jì)算高頻變壓器初級(jí)電感量LP，LP單位為μH
                
步驟13 選擇變壓器所使用的磁芯和骨架，查出以下參數(shù)：
① 磁芯有效橫截面積Sj（cm2），即有效磁通面積。
② 磁芯的有效磁路長(zhǎng)度l（cm）
③ 磁芯在不留間隙時(shí)與匝數(shù)相關(guān)的等效電感AL(μH/匝2)
④ 骨架寬帶b（mm）
步驟14 為初級(jí)層數(shù)d和次級(jí)繞組匝數(shù)Ns賦值
① 開(kāi)始時(shí)取d＝2（在整個(gè)迭代中使1≤d≤2）
② 取Ns=1(100V/115V交流輸入)，或Ns=0.6(220V或?qū)挿秶涣鬏斎?
③ Ns=0.6×(VO+VF1)
④ 在使用公式計(jì)算時(shí)可能需要迭代
  步驟15 計(jì)算初級(jí)繞組匝數(shù)Np和反饋繞組匝數(shù)NF
① 設(shè)定輸出整流管正向壓降VF1
② 設(shè)定反饋電路整流管正向壓降VF2
③ 計(jì)算NP
                    
④ 計(jì)算NF
                    
  步驟16~步驟22 設(shè)定最大磁通密度BM、初級(jí)繞組電流密度J、磁芯的氣隙寬度δ，進(jìn)行迭代。
① 設(shè)置安全邊距M，在230V交流輸入或?qū)挿秶斎霑r(shí)M=3mm，在110V/115V交流輸入時(shí)M=1.5mm。使用三重絕緣線(xiàn)時(shí)M=0
② 最大磁通密度BM=0.2～0.3T
          
   若BM＞0.3T，需增加磁芯的橫截面積或增加初級(jí)匝數(shù)NP，使BM在0.2~0.3T范圍之內(nèi)。如BM＜0.2T，就應(yīng)選擇尺寸較小的磁芯或減小NP值。
③ 磁芯氣隙寬度δ≥0.051mm
δ＝40πSJ(NP2/1000LP－1/1000AL)
        要求δ≥0.051mm，若小于此值，需增大磁芯尺寸或增加NP值。
④ 初級(jí)繞組的電流密度J=(4~10)A/mm2

若J＞10A/mm2，應(yīng)選較粗的導(dǎo)線(xiàn)并配以較大尺寸的磁芯和骨架，使J＜10A/mm2。若J＜4A/mm2，宜選較細(xì)的導(dǎo)線(xiàn)和較小的磁芯骨架，使J＞4A/mm2；也可適當(dāng)增加NP的匝數(shù)。
⑤ 確定初級(jí)繞組最小直徑（裸線(xiàn)）DPm(mm)
⑥ 確定初級(jí)繞組最大外徑（帶絕緣層）DPM(mm)
⑦ 根據(jù)初級(jí)層數(shù)d、骨架寬帶b和安全邊距M計(jì)算有效骨架寬帶be（mm）
                be=d(b－2M)
然后計(jì)算初級(jí)導(dǎo)線(xiàn)外徑（帶絕緣層）DPM：DPM＝be/NP
步驟23 確定次級(jí)參數(shù)ISP、ISRMS、IRI、DSM、DSm
① 次級(jí)峰值電流ISP(A)
ISP=IP×(NP/NS)
     ② 次級(jí)有效值電流ISRMS(A)
                      
     ③ 輸出濾波電容上的紋波電流IRI(A)
                
⑤ 次級(jí)導(dǎo)線(xiàn)最小直徑（裸線(xiàn)）DSm(mm)
                  
⑥ 次級(jí)導(dǎo)線(xiàn)最大外徑（帶絕緣層）DSM(mm)
                  
步驟24 確定V(BR)S、V(BR)FB
① 次級(jí)整流管最大反向峰值電壓V(BR)S
V(BR)S＝VO+VImax×NS/NP
② 反饋級(jí)整流管最大反向峰值電壓V(BR)FB
V(BR)FB＝VFB+ VImax×NF/NP
   步驟25 選擇鉗位二極管和阻塞二極管
步驟26 選擇輸出整流管
步驟27 利用步驟23得到的IRI,選擇輸出濾波電容COUT
① 濾波電容COUT在105℃、100KHZ時(shí)的紋波電流應(yīng)≥IRI
② 要選擇等效串連電阻r0很低的電解電容
③ 為減少大電流輸出時(shí)的紋波電流IRI，可將幾只濾波電容并聯(lián)使用，以降低電容的r0值和等效電感L0
④ COUT的容量與最大輸出電流IOM有關(guān)
   步驟28～29 當(dāng)輸出端的紋波電壓超過(guò)規(guī)定值時(shí)，應(yīng)再增加一級(jí)LC濾波器
① 濾波電感L=2.2~4.7μH。當(dāng)IOM＜1A時(shí)可采用非晶合金磁性材料制成的磁珠；大電流時(shí)應(yīng)選用磁環(huán)繞制成的扼流圈。
② 為減小L上的壓降，宜選較大的濾波電感或增大線(xiàn)徑。通常L=3.3μH
③ 濾波電容C取120μF /35V，要求r0很小
     步驟30 選擇反饋電路中的整流管
    步驟31 選擇反饋濾波電容
             反饋濾波電容應(yīng)取0.1μF /50V陶瓷電容器
     步驟32 選擇控制端電容及串連電阻
             控制端電容一般取47μF /10V，采用普通電解電容即可。與之相串連的電阻可選6.2Ω、1/4W，在不連續(xù)模式下可省掉此電阻。
      步驟33選定反饋電路
      步驟34選擇輸入整流橋
          ① 整流橋的反向擊穿電壓VBR≥1.25√2  umax
③ 設(shè)輸入有效值電流為IRMS，整流橋額定有效值電流為IBR,使IBR≥2IRMS。計(jì)算IRMS公式如下：
                            
   cosθ為開(kāi)關(guān)電源功率因數(shù)，一般為0.5～0.7，可取cosθ＝0.5
  步驟35 設(shè)計(jì)完畢
在所有的相關(guān)參數(shù)中，只有3個(gè)參數(shù)需要在設(shè)計(jì)過(guò)程中進(jìn)行檢查并核對(duì)是否在允許的范圍之內(nèi)。它們是最大磁通密度BM（要求BM=0.2T~0.3T）、磁芯的氣隙寬度δ（要求δ≥0.051mm）、初級(jí)電流密度J（規(guī)定J=4～10A/mm2）。這3個(gè)參數(shù)在設(shè)計(jì)的每一步都要檢查，確保其在允許的范圍之內(nèi)。