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中國半導(dǎo)體面臨的八大困境

經(jīng)過半個多世紀(jì)的發(fā)展,半導(dǎo)體已經(jīng)長成一個巨人,1美元半導(dǎo)體產(chǎn)品可以撬動100美元GDP。 

6月,美國兩黨參議院先后提出《為半導(dǎo)體生產(chǎn)建立有效激勵措施》《美國晶圓代工業(yè)法案》,呼吁投入370億美元以維護(hù)本土半導(dǎo)體戰(zhàn)略競爭優(yōu)勢。

資本和研發(fā)投入對保持半導(dǎo)體行業(yè)的競爭力至關(guān)重要。而中國要想爬上這個巨人的肩膀,眼前要邁過的坎不只是錢和研發(fā)這么簡單。

筆者和中國科學(xué)院院士李樹深曾花了10個月時間進(jìn)行調(diào)研,摸清了中國半導(dǎo)體科技發(fā)展的真實現(xiàn)狀。這里我將以詳實的數(shù)據(jù)和資料闡述當(dāng)下國內(nèi)半導(dǎo)體科技面臨的八大困境。

困境1 歷史積累厚、技術(shù)更新快

2015年,作為全球手機(jī)芯片霸主的高通宣布進(jìn)軍服務(wù)器芯片市場,并正式對外展示了其首款服務(wù)器芯片,不到3年就遭遇重重挫折而退出;從2010年到2019年,英特爾在移動芯片領(lǐng)域努力了十年,但始終未能撼動高通的地位,最終先后放棄了移動處理器和手機(jī)基帶芯片兩大業(yè)務(wù),告別了移動市場。

這兩個例子告訴我們,即使是財大氣粗的高通和英特爾,想要在半導(dǎo)體領(lǐng)域拓展新的市場,都是九死一生。半導(dǎo)體并不是有錢就能干的。

半導(dǎo)體產(chǎn)品的特點(diǎn)是性能為王、市場占有率為王。它一方面需要長期的歷史積累,另一方面還要應(yīng)對技術(shù)的快速更迭。

常有人把半導(dǎo)體研究與“兩彈一星”做比較,認(rèn)為中國人能做出“兩彈一星”這樣的尖端科技,半導(dǎo)體也不成問題。但人們忽視了,“兩彈一星”技術(shù)一旦掌握,自我更新速度較慢。半導(dǎo)體是按照摩爾定律高速發(fā)展的,單位芯片晶體管數(shù)量每18個月增長一倍。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域,落后一年都不行。一步慢,步步慢!

困境2 研發(fā)成本大、進(jìn)入門檻極高

國際半導(dǎo)體大公司的平均研發(fā)投入長期保持在營業(yè)額的20%。2016年,研發(fā)支出大于10億美元的全球半導(dǎo)體公司有13家,前十名的投入總計353.95億美元,其中英特爾高達(dá)127億美元,2019年增長為314億美元。

困境3 產(chǎn)業(yè)鏈條長,擁有最尖端的制造水平

在過去半個世紀(jì)里,以8個諾貝爾物理學(xué)獎11項發(fā)明為代表的研究成果奠定了半導(dǎo)體科技。要支撐半導(dǎo)體技術(shù)頂層應(yīng)用,從材料、結(jié)構(gòu)、器件到電路、架構(gòu)、算法、軟件,缺一不可。

從沙子到芯片,總共有6000多道工序,前5000道工序是從沙子到硅晶片。目前,中國12英寸硅晶片基本依賴進(jìn)口,無法自主生產(chǎn)。

有了硅晶片之后,集成電路產(chǎn)線中的芯片制造又有300多道工序,其中100道與光刻機(jī)相關(guān)。光刻工藝是半導(dǎo)體制程中的核心工藝,也是尖端制造水平的代表。一套最先進(jìn)的阿斯麥NXE 3350B EUV光刻機(jī)售價為1.2億美元,并且是非賣品。

另外,半導(dǎo)體芯片制造涉及19種必需的材料,大多數(shù)材料具有極高的技術(shù)壁壘。日本在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域長期保持著絕對優(yōu)勢,硅晶圓、化合物半導(dǎo)體晶圓、光罩、光刻膠、靶材料等14種重要材料占了全球50%以上的份額。像光刻膠這樣的材料,有效期僅為三個月,中國企業(yè)想囤貨都不行。

中國的化學(xué)很強(qiáng),化工卻很弱。目前,國內(nèi)芯片制造領(lǐng)域的化學(xué)材料、化工產(chǎn)品幾乎全部依賴進(jìn)口。

困境4 受到世界主要發(fā)達(dá)國家技術(shù)限制

1美元半導(dǎo)體產(chǎn)品可以撬動100美元GDP,任何國家都想牢牢抓住這一產(chǎn)業(yè)。根據(jù)美國半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會的預(yù)測,增加1美元半導(dǎo)體科研經(jīng)費(fèi),可以使GDP提高16.5美元,這樣的投入很“劃算”。

1986年,日本超越美國成為世界第一大半導(dǎo)體生產(chǎn)國。美國為了打壓日本,一方面出臺各種政策鼓勵其國內(nèi)企業(yè)研發(fā)制造,另一方面在1986年簽訂了《美日半導(dǎo)體協(xié)議》,限制日本半導(dǎo)體對美國的出口,同時要求日本必須進(jìn)口其20%的半導(dǎo)體產(chǎn)品,從而在1992年重新占據(jù)世界第一大半導(dǎo)體生產(chǎn)國的地位。

如今,美國面對其競爭者同樣是寸步不讓。

2017年,美國白宮出臺《確保美國在半導(dǎo)體行業(yè)長期領(lǐng)先地位》的報告,包括美國總統(tǒng)科技和政策辦公室主任以及各大半導(dǎo)體企業(yè)、投資機(jī)構(gòu)、咨詢公司CEO和科研機(jī)構(gòu)頂級專家組成的工作組,提出了一系列建議和措施。

其中包括:建立新的機(jī)制,讓企業(yè)的專家參與半導(dǎo)體政策和挑戰(zhàn);成倍增加政府投入半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域的研究經(jīng)費(fèi);實施企業(yè)稅收政策改革;實施包括通用量子計算機(jī)、全球天氣預(yù)測網(wǎng)、實時生化恐怖襲擊探測網(wǎng)等一系列“登月”挑戰(zhàn)計劃促使半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新。

尤其值得注意的是,報告還提到,要動用國家安全工具應(yīng)對中國的企業(yè)政策;加強(qiáng)全球出口控制和內(nèi)部投資安全(防止中國產(chǎn)生獨(dú)有技術(shù))。 

困境5 人才短缺嚴(yán)重、學(xué)科發(fā)展不平衡

迄今為止,半導(dǎo)體領(lǐng)域的8個諾貝爾物理學(xué)獎11項發(fā)明絕大部分來自美國。美國半導(dǎo)體研發(fā)的特點(diǎn)是自下而上,從半導(dǎo)體物理、材料、結(jié)構(gòu)、器件逐步上升到應(yīng)用層面,專業(yè)設(shè)置和人才隊伍非常完整。

中國則恰恰相反,是自上而下。優(yōu)先關(guān)注應(yīng)用層面,比如集成電路、人工智能,然后才開始局部往下延伸。它帶來的根本問題是,投資和研發(fā)經(jīng)費(fèi)層層截留,越是底層的基礎(chǔ)研究越拿不到經(jīng)費(fèi),人才蓄水池很小,于是造成了嚴(yán)重的學(xué)科發(fā)展不平衡。

我們通過中美高校專業(yè)設(shè)置對比便可以清楚地看到這一深層次問題。

1997年,教育部取消了半導(dǎo)體物理專業(yè)。在美國,材料與器件專業(yè)是整個半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心專業(yè),而我國甚至沒有設(shè)置該專業(yè)。目前,國內(nèi)只有少量研究組在從事半導(dǎo)體材料與器件相關(guān)研究。

再看高校人才培養(yǎng)數(shù)量的比較。

我國微電子專業(yè)的本科生、碩士生、博士生與美國電子工程專業(yè)的學(xué)生數(shù)量完全不在一個量級。值得注意的是,2015年,美國電子工程專業(yè)有52940名碩士生入學(xué),拿到碩士學(xué)位的只有15763名,也就是說它淘汰了大量“低水平”學(xué)生。而在中國,入學(xué)人數(shù)本來就少,淘汰也少。

總體來看,高校培養(yǎng)半導(dǎo)體學(xué)科人才的中美對比是1:6。美國經(jīng)過半個多世紀(jì)的發(fā)展,已經(jīng)積累起了上百萬的半導(dǎo)體人才,而我們可以說是人才凋零,僅有的人才大部分集中在集成電路設(shè)計領(lǐng)域,真正能夠從事半導(dǎo)體材料和器件研究的很稀缺。

困境6 科研評價機(jī)制不利于半導(dǎo)體等核心技術(shù)的發(fā)展

半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究獨(dú)特的地方在于,半導(dǎo)體雖然離應(yīng)用近,能支撐人類社會和國家安全,但是課題繁多、研究分散,設(shè)備依賴大、研究成本高、進(jìn)入門檻極高,研發(fā)周期長,得坐上十年甚至二十年的冷板凳。這導(dǎo)致在中國很少有人愿意投身這個領(lǐng)域。

半導(dǎo)體研究的一個隱蔽性還在于,目前國內(nèi)工業(yè)界普遍以為,不需要基礎(chǔ)研究也能發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),這是因為以銅替換鋁、高K絕緣層、絕緣襯底SOI、應(yīng)變硅技術(shù)、鰭式3D晶體管、環(huán)繞柵極晶體管等延續(xù)摩爾定律的重大發(fā)明為代表的大量基礎(chǔ)研究成果,全部匯集在美國公司提供的電子設(shè)計自動化(EDA)軟件和工藝設(shè)計套件(PDK)里。然而,會設(shè)計根本不代表掌握了核心技術(shù)。一旦受到設(shè)備、軟件、材料等封鎖,就立刻陷入被動。

我們從來沒有建立起獨(dú)立的半導(dǎo)體專業(yè)體系,如今卻有很多新興學(xué)科聲稱與半導(dǎo)體相關(guān),實際上無法支撐半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究。

在新興熱門材料領(lǐng)域,研究論文可以在《科學(xué)》《自然》及其子刊、《先進(jìn)材料》(IF>25)發(fā)表,但在傳統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域,一臺800萬元的必備研發(fā)設(shè)備MBE,一年的運(yùn)行費(fèi)用就高達(dá)150萬元,相應(yīng)的論文產(chǎn)出也許只是每年一篇《應(yīng)用物理快報》(IF=3.5)。

如果沒有國家的引導(dǎo)、激勵,任由科研人員做選擇,結(jié)果是顯而易見的。

困境7 研發(fā)投入不足、創(chuàng)新鏈條斷裂

美國長期以來在半導(dǎo)體研發(fā)中投入了巨額資金。1978年,美國政府投入半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)費(fèi)是10億美元,企業(yè)投入4億美元,現(xiàn)在每年聯(lián)邦政府投入17億美元,而企業(yè)投入則高達(dá)400億美元。

美國半導(dǎo)體企業(yè)協(xié)會(SIA)目前仍在積極游說政府加大半導(dǎo)體研發(fā)投入。它建議聯(lián)邦政府對半導(dǎo)體研發(fā)的資助在未來5年內(nèi)增加兩倍,達(dá)到51億美元,聯(lián)邦政府對半導(dǎo)體相關(guān)研究的資助在未來5年內(nèi)增加1倍,達(dá)到86億美元。如此便可以增加1610億美元GDP,創(chuàng)造近50萬個新就業(yè)崗位,加強(qiáng)美國半導(dǎo)體行業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)地位。

通過中美半導(dǎo)體研發(fā)投入的比較,可以發(fā)現(xiàn)中美半導(dǎo)體領(lǐng)域的差距十分顯著。2015年,僅美國企業(yè)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)投入(554億美元)就超過了我國中央財政全部的科技研發(fā)支出(2899.2億元,其中基礎(chǔ)研究經(jīng)費(fèi)670.6億元) 

以中國自然科學(xué)基金委員會的資助為例,在其信息科學(xué)部2019年面上項目、青年科學(xué)基金項目、重點(diǎn)基金項目、優(yōu)青基金項目中,半導(dǎo)體科學(xué)、光學(xué)和光電子學(xué)資助占比在2%~4.6%之間,半導(dǎo)體總計投入5億元左右,占整個基金委經(jīng)費(fèi)投入的2%~3%。

由于國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)普遍比較弱小,因此研發(fā)支出也是捉襟見肘。

目前,我國半導(dǎo)體研發(fā)投入不及美國的5%,這一現(xiàn)狀背后還要謹(jǐn)防一個陷阱。 

美國政府在非國防研發(fā)的投入從上世紀(jì)60年代占GDP的1.8%,下降到2008年的0.8%、2012年的0.7%。

一方面,美國政府的大量半導(dǎo)體研發(fā)投入不在這一比例之內(nèi),另一方面,美國已經(jīng)完成了從高校和科研機(jī)構(gòu)到企業(yè)的研發(fā)轉(zhuǎn)移,前者以前沿基礎(chǔ)探索研究為主。

因此,在我國企業(yè)研發(fā)還非常薄弱的階段,不能對照美國政府的科技支出進(jìn)行分配。 

困境8 缺乏知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)

除了產(chǎn)品山寨,半導(dǎo)體行業(yè)離職創(chuàng)業(yè)進(jìn)行同質(zhì)化競爭的現(xiàn)象普遍存在,以至于誰都得不到利潤,更沒有機(jī)會向高端技術(shù)領(lǐng)域拓展。

有些大企業(yè)看中研究所的研發(fā)技術(shù),就通過招聘畢業(yè)生的方式“得到”技術(shù)。這種竭澤而漁的做法,無法反哺基礎(chǔ)研究,實際上也阻礙了真正的成果轉(zhuǎn)化。

上世紀(jì),美國半導(dǎo)體物理研究占凝聚態(tài)研究50%以上的課題。美國物理學(xué)會期刊《物理評論B》4個大類中一半是半導(dǎo)體方向,到了2019年則取消了半導(dǎo)體方向,半導(dǎo)體論文大幅削減,因為半導(dǎo)體研究已經(jīng)十分成熟,該領(lǐng)域論文很難再獲得較高的引用。

如果中國照樣模仿,以為半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究不再重要,那就大錯特錯了。

我們在2019年以前,數(shù)理學(xué)部幾十個研究方向中沒有“半導(dǎo)體”3個字,2020年才把半導(dǎo)體基礎(chǔ)物理納入凝聚態(tài)物理學(xué)部的14個方向之一。

中國要發(fā)展半導(dǎo)體,沒有捷徑可走。必須把歷史欠賬還上,逆世界科技潮流,發(fā)展半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究。這需要各行各業(yè)的理解和支持,特別是學(xué)科設(shè)置、人才培養(yǎng)、經(jīng)費(fèi)投入和評價機(jī)制的改善。

能夠支撐未來人工智能、量子計算、先進(jìn)無線網(wǎng)絡(luò)這些頂層應(yīng)用的,是一個完整的半導(dǎo)體技術(shù)層級體系。我們只有夯實基礎(chǔ),掌握了半導(dǎo)體現(xiàn)有的技術(shù)體系,并在有潛力的環(huán)節(jié)奮起攻關(guān),形成自己的技術(shù)突破,獲得一定的技術(shù)話語權(quán),才可能在國際競爭中有立足之地。

與此同時,我們可以投入一定比例為將來的技術(shù)做儲備。但是,如果我們避重就輕,對準(zhǔn)將來的技術(shù)和應(yīng)用蜂擁而上,放棄成熟的技術(shù)體系而不顧,這其實是一種賭博,因為將來的技術(shù)通常要經(jīng)歷很多失敗。

來源:《中國科學(xué)報》

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