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向小功率和大功率延伸 三菱電機(jī)五大新品看點(diǎn)
在產(chǎn)業(yè)電子化升級(jí)過(guò)程中,作為電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)元器件之一的功率半導(dǎo)體器件越來(lái)越得到重視與應(yīng)用。而中國(guó)作為需求大國(guó),已經(jīng)占有約39%的市場(chǎng)份額,在中國(guó)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵時(shí)期,對(duì)功率半導(dǎo)體器件的需求將會(huì)越來(lái)越大。
關(guān)鍵詞:

在產(chǎn)業(yè)電子化升級(jí)過(guò)程中,作為電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)元器件之一的功率半導(dǎo)體器件越來(lái)越得到重視與應(yīng)用。而中國(guó)作為需求大國(guó),已經(jīng)占有約39%的市場(chǎng)份額,在中國(guó)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵時(shí)期,對(duì)功率半導(dǎo)體器件的需求將會(huì)越來(lái)越大。

自上世紀(jì)80年代起,功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn),目前可承受電壓能力達(dá)到6500V,并且實(shí)現(xiàn)了高功率密度化。

在此背景下,6月26-28日,PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行,三菱電機(jī)將一如既往攜最新產(chǎn)品亮相,以其六十多年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)和積淀為我們帶來(lái)全新的技術(shù)盛宴。在此次展會(huì)上,三菱電機(jī)將會(huì)帶來(lái)19款功率模塊并重點(diǎn)展示表面貼裝型IPM、大型DIPIPM+TM、X系列HVIGBT、和SiC MOSFET分立器件、全SiC高壓模塊 5款新型功率模塊。其中SiC MOSFET分立器件和全SiC高壓模塊是國(guó)內(nèi)首次展出。

可以說(shuō),三菱電機(jī)在變頻家電領(lǐng)域具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì),通過(guò)“做小”產(chǎn)品和“做大”功率兩個(gè)方向的延伸,三菱電機(jī)將進(jìn)一步鞏固自身在IPM及DIPIPMTM制造的經(jīng)驗(yàn)。三菱電機(jī)大中國(guó)區(qū)技術(shù)總監(jiān)宋高升表示,無(wú)論是做小還是做大,都具有很大的挑戰(zhàn)。

據(jù)悉,三菱電機(jī)進(jìn)攻小功率變頻市場(chǎng)主要是為了開(kāi)拓以風(fēng)機(jī)、冰箱和洗碗機(jī)等家電新消費(fèi)領(lǐng)域。去年,針對(duì)這一領(lǐng)域,三菱電機(jī)展出了用于變頻家電的小型封裝SLIMDIP-S/SLIMDIP-L,今年,三菱電機(jī)將展出更小封裝的表面貼裝型IPM,應(yīng)用于風(fēng)機(jī)、洗碗機(jī)、冰箱、風(fēng)扇等,該產(chǎn)品采用RC-IGBT芯片實(shí)現(xiàn)更高的集成度,采用貼片封裝,使得IPM體積更小;內(nèi)置全面保護(hù)功能(包括短路/欠壓/過(guò)溫保護(hù)),可采用回流焊來(lái)降低生產(chǎn)成本。

表面貼裝型IPM

而在“做大”功率上,三菱電機(jī)將DIPIPM TM的電流等級(jí)提升至百安培以上,以拓展變頻驅(qū)動(dòng)的功率范圍。今年,三菱電機(jī)大型DIPIPM+TM模塊即將量產(chǎn),額定電流覆蓋更廣。大型DIPIPM+TM模塊主要應(yīng)用于商用柜機(jī)或多聯(lián)機(jī)空調(diào),具有完整集成整流橋、逆變橋以及相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,該產(chǎn)品采用第7代CSTBTTM硅片,內(nèi)置短路保護(hù)和欠壓保護(hù)功能以及溫度模擬量輸出功能和自舉二極管(BSD)及自舉限流電阻,額定電流覆蓋50~100A/1200V,可以簡(jiǎn)化PCB布線設(shè)計(jì),縮小基板面積。

大型DIPIPM+

在軌道牽引、電力傳輸和高可靠性變流器等應(yīng)用領(lǐng)域,三菱電機(jī)今年展出的X系列HVIGBT進(jìn)一步擴(kuò)展3.3kV/4.5kV/6.5kV的電流等級(jí),實(shí)現(xiàn)更大電流密度,該產(chǎn)品采用CSTBTTM硅片技術(shù)和RFC二極管硅片技術(shù),采用第7代IGBT和RFC二極管硅片技術(shù),能夠降低功率損耗;此外,該產(chǎn)品采用LNFLR技術(shù)減小結(jié)-殼熱阻,全系列運(yùn)行結(jié)溫范圍達(dá)到-50℃~150℃,安全工作區(qū)(SOA)裕量大,且無(wú)Snap-off反向恢復(fù)。

通過(guò)優(yōu)化封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu),X系列HVIGBT提高散熱性、耐濕性和阻燃性,延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。該系列采用傳統(tǒng)封裝,可兼容現(xiàn)有H系列和R系列HVIGBT,其中,LV100和HV100封裝,交直流分開(kāi)的主端子布局,利于并聯(lián)應(yīng)用;LV100和HV100封裝,全新的封裝結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)極低內(nèi)部雜散電感。

傳統(tǒng)封裝LV100封裝(6kV絕緣耐壓)   HV100封裝(10kV絕緣耐壓)

除了X系列HVIGBT之外,國(guó)內(nèi)首次展出的全SiC高壓模塊也備受期待,其內(nèi)部包含SiC MOSFET及反并聯(lián)SiC肖特基二極管(SBD)。為了降低模塊封裝內(nèi)部電感(<10 nH)和提高并聯(lián)芯片之間的均流效果,這款模塊采用了一種被稱為L(zhǎng)V100全新的封裝,使得交直流分開(kāi)的主端子布局,利于并聯(lián)應(yīng)用并實(shí)現(xiàn)極低內(nèi)部雜散電感。

早在2013年,三菱電機(jī)供軌道交通車輛使用、搭載3.3kv的全SiC功率模塊便已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化,其后,三菱電機(jī)一直堅(jiān)持致力于推廣更節(jié)能的SiC功率模塊以逐步取代傳統(tǒng)的Si功率模塊。與Si-IGBT模塊相比,F(xiàn)MF750DC-66A具有更低的開(kāi)關(guān)損耗,其Eon相對(duì)降低了61%,Eoff則相對(duì)減小了95%。

FMF750DC-66A

在PFC、光伏發(fā)電、車載充電器應(yīng)用領(lǐng)域,SiC SBD和SiC MOSFET兩款產(chǎn)品值得期待,其中,SiC SBD正向壓降低,具有更高I2t,對(duì)抗浪涌電流有更強(qiáng)的能力;此外,該產(chǎn)品還具有更強(qiáng)的高頻開(kāi)關(guān)特性,可以使周邊器件小型化(電抗器),可應(yīng)用于車載電子產(chǎn)品。

而SiC MOSFET采用第2代SiC工藝,具有低Ron和低反向恢復(fù)損耗,適合更高開(kāi)關(guān)頻率,既可應(yīng)用于于工業(yè)級(jí)產(chǎn)品,也可應(yīng)用于車載級(jí)產(chǎn)品。


除了展出功率模塊產(chǎn)品之外,今年三菱電機(jī)還將展出一套VR動(dòng)感單車系統(tǒng)解決方案,其中伺服驅(qū)動(dòng)器采用了三菱的DIPIPMTM產(chǎn)品。參觀者可以現(xiàn)場(chǎng)體驗(yàn)VR動(dòng)感單車,從而更加直觀深刻地了解DIPIPMTM的應(yīng)用場(chǎng)景。

VR動(dòng)感單車

未來(lái),在變頻家電方面,三菱電機(jī)將加快研發(fā)第7代DIPIPMTM, 提升DIPIPMTM的溫度范圍;在工業(yè)與新能源方面,加快研發(fā)第8代IGBT模塊;在軌道牽引方面,完善X系列HVIGBT的產(chǎn)品線,逐步推動(dòng)全SiC MOSFET模塊的商業(yè)化。另外,在電動(dòng)汽車方面,則是開(kāi)發(fā)適合中國(guó)市場(chǎng)的汽車級(jí)功率模塊解決方案,并逐步提高產(chǎn)能。

新品發(fā)布會(huì)預(yù)告

6月26日-28日,PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行,三菱電機(jī)半導(dǎo)體大中國(guó)區(qū)將一如既往攜最新產(chǎn)品亮相,以其六十二年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)和積淀為我們帶來(lái)全新的技術(shù)盛宴。在此次展會(huì)上,三菱電機(jī)將會(huì)帶來(lái)19款功率模塊及相關(guān)解決方案在PCIM亞洲展與您見(jiàn)面(2018年6月26日-28日),同時(shí),“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)——三菱電機(jī)半導(dǎo)體媒體發(fā)布會(huì)”(6月27日)上重點(diǎn)發(fā)布表面貼裝型IPM、大型DIPIPM+TM、X系列HVIGBT、SiC MOSFET分立器件、全SiC高壓模塊 5款新型功率模塊,更多信息請(qǐng)關(guān)注三菱電機(jī)微信公眾號(hào)了解更多資訊。

三菱電機(jī)機(jī)電(上海)有限公司簡(jiǎn)介

三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)集團(tuán)。在2018年的《財(cái)富》500強(qiáng)排名中,名列第279。

作為一家技術(shù)主導(dǎo)型的企業(yè),三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)領(lǐng)先技術(shù),并憑強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)著重要的地位。

三菱電機(jī)機(jī)電(上海)有限公司把弘揚(yáng)國(guó)人智慧,開(kāi)創(chuàng)機(jī)電新紀(jì)元視為責(zé)無(wú)旁貸的義務(wù)與使命。憑借優(yōu)越的技術(shù)與創(chuàng)造力貢獻(xiàn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以促進(jìn)社會(huì)繁榮。

三菱電機(jī)半導(dǎo)體產(chǎn)品包括三菱功率模塊(IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、SiCMOSFET等)、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品,其中三菱功率模塊在電機(jī)控制、電源和白色家電的應(yīng)用中有助于您實(shí)現(xiàn)變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求;而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數(shù)字通訊、有線/無(wú)線通訊等應(yīng)用中提供解決方案。

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