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產品頻道 三菱電機的最新開發的Smart-1系列IGBT模塊，采用第6代CSTBTTM硅片技術和自動壓接裝配技術。模塊的飽和壓降低，功率損耗低，且硅片結溫可高達175°C，硅片運行溫度最高可達150 °C。
Smart-1系列IGBT模塊主要應用于工業變頻電機驅動和伺服驅動，已開發出的模塊電路拓撲有兩種，一種是整流逆變制動的CIB（Converter Inverter Brake），另一種是6合1模塊。其中，CIB模塊的電流/電壓等級有15A~35A/1200V，6合1模塊的電流/電壓等級有25A~50A/1200V。
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摘自《自動化博覽》2011年第七期
北京市公安局海淀分局備案號：11010802023656號