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資訊頻道華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺，各項參數均達到設計要求，并順利通過可靠性考核。加上去年成功量產的1200V Planar 和Trench NPT工藝平臺，華潤上華已成為國內首家具備包含前道和背面工藝的全套600V/1200V/1700V NPT IGBT加工能力的代工廠。
華潤上華已具備60μm以上的IGBT薄片加工能力。此次開發(fā)量產的600V Planar NPT IGBT工藝產品，其背面減薄后圓片厚度僅100μm。該工藝產品主要應用于UPS系統(不間斷電源)、太陽能逆變器、變頻家電、工業(yè)變頻驅動和電焊機等市場。華潤上華的1700V Planar NPT IGBT工藝平臺更解決了高壓IGBT存在的高溫漏電問題，產品主要應用于變頻器、風力變流器和智能電網等市場。
華潤上華IGBT工藝平臺的布局立足于滿足節(jié)能減排的需求，支持中國在十二五期間新能源政策如太陽能發(fā)電和風能發(fā)電以及智能電網的發(fā)展，同時切合國內電焊機、變頻器、UPS等巨大的市場需求。華潤上華近兩年在IGBT工藝平臺的布局已經取得不少豐碩成果。1200V Planar 和Trench NPT IGBT已于2011年初量產；600V Trench PT 以及600V 和1700V Planar NPT IGBT平臺已于近期開發(fā)完成；2500V Planar NPT IGBT的靜態(tài)參數和動態(tài)參數已經達到設計目標，并通過預考核。同時，600V 和 1700V Trench NPT IGBT、3300V/4500V Planar FS IGBT靜態(tài)參數DC如V(BR)CES 和VCE(on) 也已經達到預期結果。
華潤上華作為國內首家以晶圓代工模式立足中國半導體市場的產業(yè)先鋒，自2005年DMOS工藝量產以來，成功開發(fā)了量產6英寸高壓平面柵400-700V MOSFET、6英寸中壓平面柵50-200V MOSFET、8英寸低壓溝槽柵20-40V MOSFET、8英寸中壓溝槽柵50-80V MOSFET等豐富的功率器件工藝平臺。近兩年在IGBT各類工藝平臺的開發(fā)成果，使得華潤上華在功率器件代工的工藝平臺更為全面，將進一步促進國內功率器件產業(yè)的發(fā)展，提高節(jié)能減排關鍵部件的國產化水平和比重。
北京市公安局海淀分局備案號：11010802023656號