為客戶提供更小的芯片尺寸,更好的性能和更大的設計靈活性。
上海2012年9月19日電 /美通社/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際",紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯交所代碼:981),中國最大的和最先進的半導體代工廠,今天宣布推出其1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平臺,與其0.13微米(um)低漏電(LL)工藝完全兼容。該平臺經過流片以及IP驗證,在降低功耗、芯片尺寸和成本的同時,能提高數據的安全性。這個新平臺為中芯國際的成熟工藝節點提供了最新的增值服務,主打中國快速發展的雙界面金融IC卡市場及全球非接觸式智能卡市場。
建立在中芯國際的0.13微米低功耗技術上,該1.2V低功耗平臺使用字節模式操作的真正的EEPROM技術。與0.18微米EEPROM技術相比,該0.13微米平臺減少了約50%的芯片面積,同時降低了約50%的功耗。還可選用高速緩存控制器,在低功耗的同時加快讀取速度,為客戶提供了更大的設計靈活性。該平臺是卡類應用最理想的平臺,如雙界面銀行卡、社會保障卡、醫療保險卡、交通卡、電子護照和電子支付卡。該平臺集成了EEPROM、ROM、VR、OSC、I/O、存儲器編譯器和光檢測器(light detector)IP。除了上述中芯國際自己研發的IP,存儲器編譯器方面亦提供第三方IP的選擇。中芯國際的0.13微米過程中使用銅低k互連和硅化鈷晶體管的互連。以中芯國際0.13微米LL技術構建的設備將支持溫度范圍從-40攝氏度到85攝氏度完整的讀取和編程操作,并且在55攝氏度的溫度下,10萬讀取和寫入周期后,還能保證至少30年的數據保存(等同于在室溫下超過300年的數據保存)。該平臺目前正在通過一百萬次讀取和寫入周期的品質驗證。
中芯國際商務長季克非表示,"年底將有銀行IC卡產品在這一新平臺投片,我們為客戶的積極反響感到鼓舞。根據我們多年0.18微米EEPROM的量產經驗以及客戶的反饋,我們預期該技術將快速上量并帶來強勁的市場需求。"