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逆變器技術發展與概況

光伏逆變器在發展過程中，經歷過五個階段，第一階段從20世紀50年代到60年代，這一階段晶體管SCR的誕生為正弦波逆變器的發展創造有有利的條件，KACO公司于1953制造出第一個半導體閘流管逆變器；

第二階段20世紀70年代至80年代，這一階段GTO（門極可關斷晶閘管）的問世使得逆變技術得到發展和應用；

第三階段從80年代到90年代，這一階段功率場效應管、絕緣柵極晶體管、mos控制晶閘管（mct）及靜電感應功率器件的誕生為逆變器向大容量方向發展奠定了基礎；

第四階段從90年代到21世紀初，微電子技術如矢量控制技術、多電平變換技術、重復技術、模糊邏輯控制等在逆變器領域得到了很好的應用；

第五階段，從20世紀初一直到現在，逆變技術隨著電力電子技術、微電子技術和現代控制理論的進步不斷改進，逆變技術正向著頻率更高、功率更高、體積更小的方向發展。

在定義上，通常把將交流電能變換成直流電能的過程稱為整流，把完成整流功能的電路稱為整流電路，把實現整流過程的裝置稱為整流設備或整流器。與之相對應，把將直流電能變換成交流電能的過程稱為逆變，把完成逆變功能的電路稱為逆變電路，把實現逆變過程的裝置稱為逆變設備或逆變器。

其上游為電力電子元器件、微電子芯片、集成電路、電力電容器、電抗器、變壓器、機柜、機箱殼體制造等行業。該行業與上游行業的關聯性較低，上游行業的影響主要體現在本行業采購成本。逆變器行業與下游行業的發展密切相關，下游行業對本行業的發展具有較大的牽引和驅動作用，國家光伏項目建設與投資是決定本行業未來需求的重要部分，其需求變化直接決定了本行業未來的發展狀況。

光伏逆變器全球市場及技術現狀

就光伏逆變器全球市場來說，德國SMA公司是目前世界上最大的光伏逆變器企業，雖然近年來該公司市場份額持續萎縮，但根據最新統計數據SMA仍占全球市場30%左右的市場份額。美國加利福尼亞州的Power-One緊隨其后，占據全球逆變器市場12%的份額。進入前十的還有KacoNewEnergy（德國）、RefusolGmbH（德國）、SiemensIndustryAutomation（德國）、SatconTechnologyCorp.（美國）、FroniusInternational（奧地利）、IngeteamEnergy（西班牙）、ElettronicaSanterno（意大利）、DanfossSolar（丹麥）。2011年，上述10大逆變器企業共占據了全球75%的市場份額。

就光伏逆變器產品技術來說，國外還是處于領先地位。但是這種現象也會隨著中國產品技術的進一步提到受到動搖。

據IHSiSuppli公司的光伏（PV）市場追蹤報告，由于兩大太陽能市場增長停滯或者降低上網電價補貼，2011年PV逆變器出貨量從2010年的23.6GW下降到23.4GW，減少了1%。與此同時，由于平均銷售價格急劇下跌，銷售額也下滑15%至61億美元。而其價格也在去年銳降14%，跌幅遠大于先前預測的10%。

但是，今年逆變器出貨量預計將恢復增長，有望上升5%至24.5GW，并在接下來的三年連續擴張。雖然2012年銷售額將繼續下滑，但降幅將縮小到只有3%，隨后將在新市場的推動下恢復增長，到2014年增長率將上升到20%左右。

就逆變器技術而言，逆變器長期發展下來，轉換效率持續上升，由過去的90-92%上升到98%以上，未來的目標是達到99-100%；與此同時，新技術新產品的出現，將挑戰傳統逆變器市場份額，如2009年開始出現的微型逆變器產品，出貨量每年40%、50%的速度快速增長。

全球逆變器市場發展趨勢

經過了兩年多的市場波動，逆變器在下滑的光伏市場中漸漸穩住身形，趨于平穩增長狀態。據IHSiSuppli預計，2013到2015年全球光伏逆變器出貨量將繼續增長，并于2015年增長至52GW。由于2011年德國與捷克市場的萎縮，逆變器出貨量受到影響，但是其他市場的增長支撐了總體市場。去年中國逆變器產品出貨量增幅最大，從691MW大增到1.6GW。美國增幅排名第二，從1.5GW上升到2.8GW。

雖然德、意、英、澳等國已經紛紛對本國光伏企業削減太陽能補貼，英國等受經濟危機沖擊巨大的歐洲國家甚至開始削減裝機量，但是亞太地區市場需求的增長彌補了老牌光伏大國市場萎靡的空缺，中國、美國、日本以及其他新興光伏市場的快速成長為逆變器的最大絕對增長提供了機會，展望未來，光伏逆變器的增長勁頭依舊強勁。

在發展上，國際逆變器企業也紛紛通過擴充產能，建設完善渠道，加快速度切進新能源電源市場。在中國，由于成本較高、交貨周期長是目前國外廠商進入內地市場的主要短板，在國內投資、合資生產銷售是國際廠商搶占中國市場的必由之路。

逆變器企業主要外購產品包括各種電子元器件、結構件、電氣元器件、電線電纜等。逆變器的主功率元件的選擇至關重要，目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管(BJT)，功率場效應管(MOS-FET)，絕緣柵晶體管(IGBT)和可關斷晶閘管(GTO)等，在小容量低壓系統中使用較多的器件為MOSFET，在大容量系統中一般均采用IGBT模塊，而在高壓特大容量(1000KVA以上)系統中，一般均采用IGCT、GTO等作為功率元件。供應商主要集中于日本、德國幾大國際巨頭：英飛凌、西門康、IR、三菱、富士等。

普通元器件行業競爭激烈，供應商議價余地較小。關鍵的功率器件由于技術含量高，供應商憑借技術優勢在價格談判中掌控主動權。而這也正為電子企業的發展提供了一個契機。