如何逃離破產黑洞
市場調研機構iSuppli預言,2009年第一季度全球內存芯片市場規模將明顯下滑,只能達到59億美元的水平,較2008年第四季度下滑7.4%。iSuppli還預測,2009年第一季度內存芯片還將出現全行業虧損,將沒有一家廠商是盈利的。
當然,盡管內存芯片行業哀鴻遍野,但也并非沒有一抹亮色。領先的內存芯片廠家還可以發揮自己的規模成本優勢,趁機擴大市場份額。
有關統計資料顯示,2008年底,三星半導體的市場占有率高達24.5%,位列內存芯片廠商的第一位,美光的市場占有率超過爾必達排第二。2008年第4季度,美光的市場占有率高達16.9%,與上一季度相比有了大幅的躍進。
此外,有學者認為,內存芯片的價格下滑有助于內存芯片廠家加大對產品技術的研發投入,不斷推出升級產品。分析人士認為,新技術的應用可以讓內存芯片廠家擺脫當前市場上產品同質化嚴重、供求失衡的狀況,而且更先進的產品也會帶來更高的營業收入和毛利,從而成為扭虧為盈的有效手段。內存芯片市場的產品格局也會在不久的將來發生重大的變化。
一位半導體行業的專家表示,對于半導體行業來說,技術和生產上的投資在市場困難時期會十分奏效。以前,各大內存芯片廠商在產品技術投入的方向上都過于雷同,高端產品更是少之又少。同行的重復開發只能讓整個內存芯片廠商之間的競爭白熱化。
海力士在國際固態電路會議(ISSCC)上發布了首枚容量為1Gbit的DDR3RAM芯片,該芯片采用44納米制程設計,新的制程性能要比使用以前54納米制程的產品高出一半水平,而且功耗還有一定程度的下降。該產品會在今年夏季量產,它將進一步降低DDR3內存的生產成本,為大規模普及做了較好的鋪墊。爾必達也于近日發布了業界容量最高的內存模組,用于服務器領域,單條存儲量達到16Gbit,該模組集成了64顆2GbitDDR2SDRAM芯片,并使用了爾必達獨有的封裝技術,整體厚度僅為7.7毫米。三星半導體日前宣布已經成功研發并制造出了全球首塊40納米DRAM芯片及模塊。
當然,即便是要投入新的升級產品,內存芯片廠家也希望能充分利用原有的生產線以節約成本。據了解,爾必達就凍結了一項采用新生產工藝的計劃,取而代之的是,今年量產尺寸更小的1Gbit內存芯片產品。爾必達表示,他們會使用現有的設備來生產這種尺寸更小的芯片,而且該款芯片的價格比原有的產品低20%。