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    新的KAE-02150圖像傳感器結合行間轉移CCD及電子倍增技術，為工業應用在日光及星光下提供非凡的微光視頻捕獲性能

     2014年11月4日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新類的電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器技術，為工業市場的微光成像樹立新的基準。  

    這新技術結合安森美半導體領先業界的行間轉移(Interline Transfer, IT) CCD像素設計及新開發的電子倍增(Electron Multiplication, EM)輸出結構，使圖像傳感器方案能夠提供亞電子(sub-electron)噪聲性能及CCD級圖像品質和均勻性，用于極微光成像。KAE-02150是首款采用新技術的圖像傳感器，能在日光到星光、高光到背光等差異很大的光照條件下捕獲1080p(1920 x 1080)視頻，因而大幅拓展單攝像頭成像系統的成像能力。這在極缺乏光照的應用中尤為有用，如監控、防衛/軍事、科學及醫療成像、智能交通系統。

    安森美半導體圖像傳感器業務部副總裁Chris McNiffe說：“KAE-02150圖像傳感器是我們首款充分利用新的行間轉移EMCCD技術的器件，為業界提供了一款革命性的方案。CCD器件的優異圖像品質及均勻性擴展至極微光條件，使工業市場的客戶能在最有難度成像條件下獲得全新的性能水平。這明顯展示了安森美半導體獨一無二的能力，能充分利用公司不斷擴增的成像技術，為客戶提供最先進的成像方案。”

    KAE-02150采用創新的輸出電路設計，用于同一圖像內以逐一像素為基礎利用傳統CCD(低增益)或EMCCD(高增益)輸出，支持高動態范圍(HDR)成像。各個單獨像素的電荷被測量，信號電平與拍照系統中用戶可選擇的閾值比較，以確定各個電荷包(packet)的路由位置。場景中極微光照區域的像素可以選擇性地路由至EMCCD輸出，而圖像中明亮區域的像素(通常可能會使EMCCD寄存器飽和及使圖像失真)，會路由至傳統CCD輸出放大器。有了這種場景內可切換增益特性，兩種輸出的信號因而可以重新組合，使單個攝像頭能夠恰當地在暗視場中呈現明亮的區域，能夠提供變化光照條件下的動態補償，如前照燈進入或離開微光的場景。

    新的KAE系列器件基于TRUESENSE 5.5微米IT-CCD平臺已證明行之有效的性能。這IT-CCD平臺帶有全局快門、優異圖像均勻性、高調制傳遞函數(MTF)，用于當今100萬像素至2,900萬像素的寬廣陣容器件。KAE系列將會擴充，加入額外的光學格式、分辨率及像素大小。

    KAE-02150現已提供樣品，具備單色及拜耳色彩配置。2014年底前還將提供包含硬件及軟件的評估套件，使客戶能夠針對他們特定應用鑒定這新器件的性能。

    VISION Trade Fair

    KAE-02150圖像傳感器將于2014年11月4日至6日在德國斯圖加特2014 VISION展覽會上的安森美半導體展位(1C82)上展示。

    技術問題請聯系安森美半導體：電話 (585) 784 5500，或電郵：imagesensors@onsemi.com。歡迎訪問安森美半導體英語博客： www.onsemi.com/blog。