中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地25日在湖南株洲市奠基,這標志著中國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動,長期被國外壟斷的功率變流裝置有了“中國芯”。
項目設(shè)計年產(chǎn)8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只,中國南車成為國內(nèi)唯一掌握IGBT芯片設(shè)計—芯片制造—模塊封裝—系統(tǒng)應(yīng)用完整產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè),填補了國內(nèi)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的空白。工業(yè)與信息化部裝備司處長王建宇認為,屆時中國南車將完全自主實現(xiàn)電力電子器件技術(shù)及產(chǎn)業(yè)跨越式發(fā)展,躋身世界大功率IGBT器件技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化一流梯隊。
中國南車株洲電力機車研究所有限公司總工程師馮江華介紹,IGBT,是一種新型功率半導(dǎo)體器件,中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”,是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品。作為電力電子技術(shù)的核心技術(shù),廣泛應(yīng)用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動、智能電網(wǎng)、電力電子、新能源汽車等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,是節(jié)能技術(shù)和低碳經(jīng)濟的主要支撐,被業(yè)界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經(jīng)濟的“核芯”。
建成后,該基地將具備年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件的能力,年產(chǎn)值超過20億元,其產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)實力均超過國內(nèi)已有水平,達到國際領(lǐng)先水平(目前世界主流IGBT芯片生產(chǎn)線為6英寸)。
中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地除建設(shè)一條國際領(lǐng)先的8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線外,還將建設(shè)9條滿足不同行業(yè)用的IGBT模塊生產(chǎn)線。產(chǎn)品電壓等級從600伏到6500伏,滿足軌道交通以及電動汽車、風力發(fā)電、太陽能發(fā)電、智能電網(wǎng)、高壓變頻、工業(yè)傳動等多個行業(yè)需求,成為中國首個完全依靠自主能力建設(shè)的、設(shè)計規(guī)模最大、技術(shù)實力最強、產(chǎn)品型譜最全的大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地,改變核心技術(shù)受制于人,產(chǎn)品依賴進口的不利局面,為建設(shè)資源節(jié)約型和環(huán)境友好型社會,促進國民經(jīng)濟快速健康發(fā)展做出重要貢獻。
據(jù)悉,軌道交通、新能源、電動汽車等綠色經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)在未來十年甚至更長的時間里將保持每年20-30%的高速增長,發(fā)展綠色經(jīng)濟成為全球各個主要經(jīng)濟體的共識。作為綠色經(jīng)濟的功率“核芯”,IGBT市場發(fā)展前景光明。
來源: 新華網(wǎng)
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